SENTECH Deutschland Induktiv gekoppelte chemische Gasabscheidung

Hohe Dichte Plasma

SI 500 D verfügt über hervorragende Plasmaeigenschaften wie hohe Dichte, niedrige Ionenergie und niedrige Druck Plasma-Ablagerungsmedienfilmen.

Parallelplatte ICP Plasmaquelle

Die Parallelplatte-Drei-Spirale-Antenne (PTSA) ICP-Plasmaquelle von SENTECH wurde realisiertNiederleistungskopplung.

Ausgezeichnete Ablageeigenschaften

Niedrige Erosionsraten, hohe Bruchspannung, geringe Spannungen, beschädigungsfreie Substrate und eine niedrige Oberflächenstandsdichte bei Ablagetemperaturen unter 100 °C ermöglichen eine ausgezeichnete Leistung der abgelagerten Folie.

Dynamische Temperaturregelung

Die dynamische Temperaturregelung in Kombination mit einer Heliumkühlten Substratelektrode und einer Temperaturerfassung auf der Substratrückseite bietet ausgezeichnete und stabile Prozessbedingungen in einem breiten Temperaturbereich von Raumtemperatur bis +350°C.

Die SI 500 D Plasmaabscheidungsgeräte stellen Spitzentechnologien zur Verbesserung der chemischen Gasabscheidung durch Plasma dar, wie Medienmembrane, a-Si, SiC und andere Materialien. Es basiert auf einer PTSA-Plasmaquelle, einem unabhängigen Reaktionsgaseneintritt, einer dynamischen Temperaturregulierungssubstratelektrode, einem vollautomatisch gesteuerten Vakuumsystem, einer SENTECH-Steuersoftware mit Remote Fieldbus-Technologie und einer benutzerfreundlichen universellen Benutzeroberfläche zur Bedienung des SI 500 D.

Die SI 500 D Plasma-Ablagergeräte können eine Vielzahl von Substraten bearbeiten, von Chips mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm bis hin zu Teilen, die auf einem Träger geladen werden. Ein Single-Chip-Vorvakuumkammer gewährleistet stabile Prozessbedingungen und ermöglicht eine bequeme Umschaltung zwischen verschiedenen Prozessen.

Die SI 500 D Plasmaverstärkte Ablagerungsanlage dient zur Ablagerung von SiO2-, SiNx-, SiONx- und a-Si-Folien im Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 350 °C. Mit flüssigen oder gasförmigen Vorläufern bietet SI 500 D eine Lösung für die Ablagerung von TEOS, SiC und anderen Materialien. Die SI 500 D eignet sich insbesondere für die Ablagerung von Schutzschichten auf organischen Materialien bei niedrigen Temperaturen und für die schädigungsfreie Ablagerung von Passivierungsfilmen bei festgelegten Temperaturen.

SENTECH bietet verschiedene Automatisierungsgraden, von Vakuum-Blatt-Box-Trägern bis hin zu einer Prozesskammer oder sechs Prozessmodulanschlüssen, die für verschiedene Ätz- und Seditionsprozessmodule in mehrkahlrigen Systemen eingesetzt werden können, die hohe Flexibilität oder hohe Erträge zielen. SI 500 D kann auch als Prozessmodul in einem Mehrkammersystem eingesetzt werden.

SI 500 D:

• ICP-PECVD Plasmaabscheidungsgeräte

• Vorvakuumkammer

• geeignet für200mm Chip

• Unterlagen von Raumtemperatur bis 350 °C

• Laserendpunktprüfung

• Alternative Elektrodenversetzung