Fehleranalyse von Halbleiterkomponenten

Yu Hongxin Inspektion verfügt über eine komplette Reihe von Testkapazitäten für Halbleiterkomponenten von der Oberfläche bis zum Inneren, ESD-Test, FIB-Test, industrielles CT-Scannen, Rottinte-Experimente, Schnittanalyse, Ionenchromatografie und andere Projekte, die effektiv falsches Schweißen, Riss, Ionenrückstände und andere Probleme identifizieren können.

Fehleranalyse von HalbleiterkomponentenSchritte

In der Praxis ist eine vollständigeFehleranalyse von HalbleiterkomponentenIn der Regel folgen Sie dem Grundprinzip "zuerst außen, dann innen, zuerst ohne Schäden, dann zerstören".

1. Ausfallsammlung und Fehlerlokalisierung

Das ist der Ausgang aller Analysen. Sie müssen so detailliert wie möglich aufzeichnen:

Fehler: Ist es nicht funktioniert, oder sind die Parameter drift oder intermittierende Ausfälle?

Ausfallumgebung: unter welchen Test- oder Gebrauchsbedingungen?

Fehlerquote: Ist es ein individuelles Phänomen oder ein Batchproblem?

Auf der Grundlage von Phänomenen wird der ungefähre Teil des Ausfalls durch elektrische Leistungstests (z. B. IV-Kurven-Test) und eine Erscheinungsprüfung vorläufig gesperrt.

2. Nicht-destruktive Analyse

Die Probe wird ohne Schäden an der Probe vollständig mit verschiedenen Instrumenten untersucht.

Erscheinungsprüfung: Verwenden Sie ein optisches Mikroskop für eine sorgfältige Prüfung, um kleine Anomalien wie Verfärbungen, Risse, Verschmutzung und andere zu finden.

Test der elektrischen Eigenschaften: Der IV-Kurven-Test kann Ihnen sehr schnell helfen, festzustellen, ob es zu Problemen mit hohem Widerstand wie Kurzschlüssen, offenen Schaltungen oder Leckagen bei Ausfallstiften kommt.

Schädigungsfreie Kontrolle der internen Struktur:

Für PCB-interne Verkabelung, Schweißpunkte (insbesondere BGA) usw. ist die RöntgenperspektiveBessere Wahl.

Ultraschall (C-SAM) ist besonders effektiv für die Schichtung nach Befeuchtung von Kunststoffdichtungsgeräten, PCB-Sprengplatten usw., da es sehr empfindlich auf Schnittstellenfehler ist.

3. Destructive Analysetechnologie

Wenn eine schädigungsfreie Analyse nicht in der Lage ist, die Ursache zu bestimmen, ist eine destruktive Analyse nach der Genehmigung erforderlich.

Schnittanalyse: Dies ist die klassische Methode, um interne Mikrostrukturen wie PCB-Durchgänge, Schweißpunkte und andere zu beobachten. Durch eine Reihe von Schritten wie Probenahme, Einbettung, Schneiden, Polieren und Korrosion werden Querschnitte hergestellt, die mit dem Mikroskop beobachtet werden können.

Ionenschleifen: Dies ist die aktuell fortschrittlichste Probentechnologie. Das herkömmliche mechanische Polieren kann Kratzer oder Verschmutzung durch Schleifmittel einführen, während das Ionenschleifen mit einem Ionenstrahl zum Schneiden und Polieren einen spannungsfreien, verschmutzungsfreien Schnitt erzielt, der das unter SEM beobachtete Bild realistischer und klarer macht.

SEM/EDS-Analyse: Wenn die vorbereiteten Schnitte in ein Scan-Elektroskop (SEM) eingesetzt werden, können sehr feine Mikrostrukturen wie Intermetallverbindungen, Mikrorisse, Zinnschläge usw. beobachtet werden. Zusammen mit dem Energiespektrometer (EDS) können auch qualitative oder sogar semiquantitative Analysen der Elementzusammensetzung in kleinen Bereichen durchgeführt werden, um die Quelle von Schadstoffen oder Korrosionsstoffen zu bestimmen.

Öffnungsanalyse: Wenn sich der Fehler im Inneren des Chips befindet, muss der Chipwafer durch chemische Öffnung (die äußere Kunststoffverpackung mit Säure korrodiert) oder durch physikalische Methoden ausgesetzt werden, um Verbrennungen, Bruche und andere Defekte im Inneren mit SEM zu beobachten.

4. Zusammenfassung und Schlussfolgerungen

Schließlich müssen alle erhaltenen Daten, Bilder und Fakten logisch zusammengefasst werden, um die Fehlermechanismen (z. B. elektrostatische Schäden, mechanische Belastungen, elektrische Migration usw.) zu identifizieren und schließlich die Grundursachen zu identifizieren, um einen strukturierten Fehleranalysebericht zu erstellen, der eine Orientierung für nachfolgende Qualitätsverbesserungen bietet.

Fehleranalyse von HalbleiterkomponentenTechnische Mittel