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Shengmei Halbleitergeräte (Shanghai) Co., Ltd.
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PECVD-Geräte

VerhandlungsfähigAktualisieren am02/15
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Hersteller
Produktkategorie
Ursprungsort
Übersicht
Die Plasma-verstärkte chemische Gasphase-Ablagerung (PECVD) von Shengmi Shanghai kann auf SiO2-, SiNx-, Carbon- und NDC-Film-Ablagerungsprozesse angewendet werden und kann zukünftig auf den Single-Chip-PEALD-Film-Ablagerungsprozess ausgedehnt werden.
Produktdetails

PECVD-Geräte

  

Hauptvorteile

Konfiguriert mit Kammerdesign mit eigenständigem geistigem Eigentum und Einkammer-Multi-Heizplattenlayout

Ausgestattet mit speziellen Gasverteilungsgeräten und Kartonentwicklung

Die Transformation für eine dünne Folienüberlagerung ermöglicht eine bessere Foliengleichmäßigkeit, bessere Folienspannung und weniger Partikeleigenschaften

Eine hohe Produktivität erfordert mehrere Heizscheiben in jedem Hohlraum

Flexible Konfiguration der Anzahl der Kammern für unterschiedliche Kapazitätsanforderungen

Eigen entwickelte Steuerungssoftware kann flexibel konfiguriert werden

Entworfene Vakuum-Roboterarme passen zu den Regeln für den Zugriff auf Wafer mit mehreren Heizplatten

Kompatibel mit verschiedenen PECVD-Ablagerungsfilm-Anforderungen bei Prozesstemperaturen von 200C bis 650C


Merkmale und Spezifikationen

Geeignet für eine Vielzahl von 300 mm Wafer-Ablagerungsanforderungen

Das Gerät ist modular mit einem einzigen Gehäuse und ist in zwei Konfigurationen erhältlich:
Einer ist ein konfigurierbares Modul mit einem bis drei Kammern, das sich für die Ablagerung dünnerer Folien geeignet hat
Eines ist ein konfigurierbares 4- bis 5-Kammer-Modul, das für die Ablagerung dicker Film kompatibler Langarm-Vakuum-Roboterarme geeignet ist